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方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低
西門子觸摸屏的常見故障包括以下幾種:觸摸屏無法響應:這是最常見的問題之一,可能是由于觸摸屏的觸摸部件損壞、連接線路松動、觸摸屏面板臟污等原因導致的。解決方法包括重新插拔連接線路、清潔觸摸屏表面或更換損壞的觸摸部件。觸摸屏顯示異常:觸摸屏可能出現顯示不正常、顏色失真、屏幕閃爍等問題。這可能是由于顯示屏驅動電路、顯示屏本身或觸摸屏連接線路故障引起的。解決方法通常是檢查連接線路、更換故障的電子元件或整塊
1、安全工作區在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區)和短路時候的保護。這個是開通和關斷時候的波形,這個是相關的開通和關斷時候的定義。我們做設計時結溫的要求,比如長期工作必須保證溫度在安全結溫之內,做到這個保證的前提是需要把這個模塊相關的應用參數提供出來。這樣結合這個參數以后,結合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來計算產品的功耗和結溫,是
選擇使用IGBT時需要考慮以下幾個因素:電流和電壓要求:根據應用需求確定所需的電流和電壓等級,確保選用的IGBT能夠承受和適應工作條件下的電流和電壓。開關速度:根據應用需要確定所需的開關頻率和響應時間,選擇具有恰當開關速度的IGBT,以確保它能夠在給定的操作頻率下正常工作,并滿足快速響應的要求。功率損耗:考慮IGBT的導通和開關損耗,以確定在負載條件下所需的散熱能力和冷卻要求。低導通和開關損耗的I
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
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