分子泵組應(yīng)用于低溫真空探針臺

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：49

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  詞條說明

• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• KRI 射頻離子源輔助沉積鍍制385nm紫外帶通濾光片

  ?帶通濾光片也叫干涉濾光片,?主要起到過濾不想要的雜光,?只讓想要的光通過的作用. 385nm?紫外帶通濾光片是帶通濾光片中一款?UV?紫外波段的濾光片,?廣泛應(yīng)用于熒光檢測,?多波段濾光片.?它具有高透過率,?其深截止可保探測器接收不到其它波長的光,?因此可保證圖像的高亮度和大的信噪比.

• KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用

  上海伯東代理美國?KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等！KRi 離子源預(yù)清潔可以實(shí)現(xiàn)去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳?xì)浠衔餁埩羧コ瘜W(xué)吸附污

• HVA 真空閘閥在氣體管路系統(tǒng)應(yīng)用

  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。美國 HVA?真空閘閥在氣體管路系統(tǒng)應(yīng)用半導(dǎo)體工廠, 太陽能光伏, LED, 鍍膜等行業(yè)在工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(tǒng)(真空管路)的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩(wěn)定的供應(yīng)到工藝設(shè)備內(nèi). 美國 HVA?真空閘閥廣泛用在氣體輸送環(huán)