KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

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HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統或低溫泵
美國 HVA 真空閥門選型
上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實例產品系列特點口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列
分子泵組玻璃封管抽真空進行金屬燒結試驗
Pfeiffer?分子泵組玻璃封管抽真空進行金屬燒結試驗上海伯東德國 Pfeiffer 經濟型分子泵組?Hicube 80 Eco 成功應用于玻璃封管抽真空, 進行金屬燒結試驗, 主要應用如下:系統真空度要求: 10-4 mbar1. 玻璃管內放置金屬材料2. 利用分子泵組提供穩定的真空, 封住玻璃管, 抽走多余的空氣和水汽, 減少水, 氧, 氮等氣體對燒結的不良影響, 然后對
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氦質譜檢漏儀?CVD 設備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關產品衍生智造為主業的創新型科技公司, **產品是物聯網, 5G 通訊, 安防監控等*三代半導體芯片. 芯片在生產過程中使用 CVD 設備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設備處于高真空狀態, 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設備檢漏要