KRI 離子源應用于舞臺燈光濾光片鍍膜

時間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：65

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• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質(zhì)及優(yōu)良的光學穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• KRI 離子源應用于車載AR-HUD 鍍膜

  ?HUD?已經(jīng)成為一種常見的汽車配置與功能,?通過它來直觀顯示速度、發(fā)動機轉(zhuǎn)速或其他懸停在駕駛員視野中的信息,?減少因低頭查看儀表盤而造成的分心,?提升駕駛.?目前量產(chǎn)的車用抬頭顯示?HUD?正在從風擋型?W-HUD?逐漸向增強現(xiàn)實型的?AR-HUD?發(fā)展：從單純的信息展示屏幕,

• KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜

  合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n

• HVA真空閥門成功應用于粒子系統(tǒng)

  伯東代理的美國?HVA?真空閥門成功應用于中國研制的亞洲大的粒子系統(tǒng).??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋管軸封?AM - 350?閥門密封方式&nb