微納加工應用

時間：2020-04-14作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：149

儀準科技（北京）有限公司專注于手動探針臺,probe,station等

• 詞條

  詞條說明

• 芯片測試方法匯總

  芯片失效分析檢測方法匯總 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測

• 晶圓代工迎來新的黃金期

  晶圓代工迎來新的黃金期 近期，以臺積電為代表的幾大晶圓代工廠備受關注，原因在于它們2020年**季度的財報。與各大IDM和Fabless**和*二季度低迷的財報或財測不同，臺積電、聯電和中芯**這三大晶圓代工廠的業績十分亮眼，與當下疫情給半導體產業帶來的負面影響形成了鮮明的對比。看來，晶圓代工（Foundry）這種商業模式確有其過人之處。 2019年10月，DIGITIMES Research預估

• 芯片測試前期準備

  失效分析樣品準備： 失效分析是芯片測試重要環節，無論對于量產樣品還是設計環節亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，FIB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因為失效分析設備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備，因此借用外力，使用對外開放的資源，來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備

• FIB/SEM/EDX技術指標

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離